小米员工获全国五一劳动奖

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1000倍。在晶体管性能方面，单层WSi2N4不仅空穴迁移率高、开态电流密度大，强度高、散热好，化学性质也很稳定，综合性能在同类二维材料中表现突出。该研究结果表明，单层WSi2N4在二维半导体CMOS集成电路中具有广阔的应用前景，有望为后摩尔芯片技术开辟新的途径。

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